台积电应英伟达需求规划3D DRAM
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台积电应英伟达需求规划3D DRAM
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AI 综述
2026年11月，台积电应最大客户英伟达的要求，开始规划生产名为“3D DRAM”的先进内存芯片。该架构通过垂直堆叠存储单元提升容量，旨在满足AI算力对高带宽内存的需求。目前台积电正在评估兴建专用新厂或收购改造现有晶圆厂两条路径，但尚未确定量产时间与产能来源，相关消息仍属市场传闻。若该计划落地，意味着台积电向存储芯片市场延伸，有助于缓解英伟达AI加速器的高带宽内存供应压力。
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最新进展11月7日 07:59
台积电考虑进军先进内存芯片制造，或为英伟达生产 3D DRAM报道时间线
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11月7日
- IT之家台积电考虑进军先进内存芯片制造，或为英伟达生产 3D DRAM
台积电正应英伟达要求规划生产 3D DRAM 内存芯片。该架构通过垂直堆叠存储单元来提升容量，旨在满足 AI 算力对高带宽内存的需求。 台积电正在评估兴建专用新厂或收购改造现有晶圆厂两条路径，尚未确定量产时间与产能来源。 此动向若落地，意味着台积电向存储芯片市场延伸，有助于缓解英伟达 AI 加速器的高带宽内存供应压力。
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