台积电考虑进军先进内存芯片制造，或为英伟达生产 3D DRAM

台积电正应英伟达要求规划生产 3D DRAM 内存芯片。该架构通过垂直堆叠存储单元来提升容量，旨在满足 AI 算力对高带宽内存的需求。 台积电正在评估兴建专用新厂或收购改造现有晶圆厂两条路径，尚未确定量产时间与产能来源。 此动向若落地，意味着台积电向存储芯片市场延伸，有助于缓解英伟达 AI 加速器的高带宽内存供应压力。